AIN UVB UVC WAFER晶圆外延片高光效
晶圆的缺陷和成因
晶圆分为无图案晶圆（Bare Wafer）和图案晶圆（Patterned wafer），如右图所示。考虑两种晶圆的缺陷类型的出发点有些不同。晶圆表面的缺陷类型很多，既有可能是工艺产生也有可能材质本身的缺陷。采用不同的缺陷检测方式，可能会对缺陷进行不同的划分。综合考虑缺陷的物理属性和后面缺陷检测算法的针对性，缺陷可以简单地分为表面冗余物（颗粒，污染物等），晶体缺陷（滑移线缺陷，堆垛层错），划痕，图案缺陷（针对图案晶圆）。
晶圆表面冗余物
晶圆表面的冗余物种类比较多，小到几十纳米的微小颗粒，大到几百微米的灰尘，以及前一个工序留下的表面残留物。颗粒是可能引入的工序有刻蚀、抛光、清洗等。冗余物缺陷主要来自于生产加工中晶圆表面的灰尘、空气纯净度未到达标准以及加工过程中化学试剂等。这些颗粒在光刻时会遮挡光线，造成集成电路结构上的缺陷，污染物可能会附着在晶圆表面，造成图案的不完整，影响芯片的电气特性，如右图所示。
晶体缺陷
滑移线缺陷是也是一种常见的缺陷，它是由晶体生长时的加热不均造成的，他通常在晶圆的外围边缘处，形成一条条水平的细小直线。由于滑移线的尺寸相对比较大，可以通过人工观测的形式辨认。如右图所示。
堆垛层错(Stacking Fault)也是可以在外延层中发现的缺陷，一般是由于晶体结构中密排面的正常堆垛顺序遭到了破坏，其尺寸通常在微米级别。如右图所示。
机械损伤
机械损伤一般指晶圆表面因为抛光或者切片造成的划痕，一般是由化学机械研磨（CMP）造成的，成弧状，也有可能是非连续点状分布，如右图所示。这种损伤有大有小，通常会影响晶圆电路的连通性，是比较严重地缺陷。这种缺陷是可以纠正的，有可能是机械的操作不当。
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